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少子壽命測試儀(MDP)
MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀,系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。
更新時(shí)間:2026-03-17
產(chǎn)品型號(hào):MDpicts pro
瀏覽量:173
MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng),優(yōu)點(diǎn)是非接觸式,是一種對(duì)待測樣品無損傷和非破壞式的檢測手段,采用微波諧振微波腔來接收信號(hào)。由缺陷捕獲載流子的再發(fā)射引起的光電導(dǎo)率的變化可以通過微波吸收來檢測。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導(dǎo)體。
更新時(shí)間:2026-03-17
產(chǎn)品型號(hào):MDpicts pro
瀏覽量:92
MD picts溫度依賴型壽命測試系統(tǒng),可檢測電阻率高于 0.3 Ω cm的單晶硅與多晶硅,重要聚焦缺陷、少子壽命及光電導(dǎo)的溫度依賴型測量,同時(shí)可檢測硅中的污染物及電活性晶體中的缺陷,具備微波光電導(dǎo)衰減瞬態(tài)(μPCD)和穩(wěn)態(tài)(MDP)測量功能。
更新時(shí)間:2026-03-17
產(chǎn)品型號(hào):MD picts
瀏覽量:104
HT picts高溫少子壽命測量系統(tǒng),用于寬禁帶材料在高溫區(qū)間的非接觸、無損傷的溫度依賴型測量,涵蓋少子壽命、電學(xué)特性表征及深能級(jí)缺陷研究。(涵蓋瞬態(tài)模式μPCD、穩(wěn)態(tài)模式MDP、微波光電導(dǎo)等方法,符合SEMI PV9-1110 半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn))。
更新時(shí)間:2026-03-17
產(chǎn)品型號(hào):HT picts
瀏覽量:102
少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
更新時(shí)間:2025-12-25
產(chǎn)品型號(hào):MDPpro 850+1
瀏覽量:3207
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。
更新時(shí)間:2025-12-25
產(chǎn)品型號(hào):MDPmap-1
瀏覽量:3527
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