MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)

用于科研及生產(chǎn)應(yīng)用的MDpicts pro（原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)）。使用非接觸式光電導(dǎo)率衰減法、深能級(jí)瞬態(tài)譜(DLTS)技術(shù)，尤其針對(duì)溫度依賴的載流子壽命測(cè)量系統(tǒng)（面掃和單點(diǎn)）。MDPicts pro測(cè)試系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是非接觸式，是一種對(duì)待測(cè)樣品無(wú)損傷和非破壞式的檢測(cè)手段，采用微波諧振微波腔來(lái)接收信號(hào)。由缺陷捕獲載流子的再發(fā)射引起的光電導(dǎo)率的變化可以通過(guò)微波吸收來(lái)檢測(cè)。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導(dǎo)體。

MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)材料： 

MDpicts pro 能夠?qū)缀跛邪雽?dǎo)體進(jìn)行電學(xué)表征 

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重點(diǎn)優(yōu)勢(shì)： 

1）從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測(cè)試

2）實(shí)現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析：無(wú)損、靈活且精確

3）空間分辨率高

4）同時(shí)具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測(cè)量

5）原位新型低溫恒溫測(cè)試系統(tǒng)，

6）半導(dǎo)體材料中的缺陷分布

7）半導(dǎo)體材料光電導(dǎo)率測(cè)試

8）深能級(jí)缺陷的激發(fā)活能

9）深能級(jí)缺陷的俘獲截面

10）深能級(jí)缺陷測(cè)試 

技術(shù)規(guī)格：  

應(yīng)用案例：

光束誘導(dǎo)電流（LBIC） 

該過(guò)程基于對(duì)太陽(yáng)能電池中局部電流（Isc）的測(cè)量，該電流通過(guò)激光誘導(dǎo)的方式產(chǎn)生 

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS） 

為研究半導(dǎo)體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS））已被廣泛應(yīng)用。 

磷化銦（InP）中缺陷能級(jí)的研究 

微波探測(cè)光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS）是研究磷化銦（InP）中缺陷能級(jí)的理想方法。例如，對(duì)磷化銦的研究表明，退火過(guò)程中材料的缺陷含量會(huì)發(fā)生變化……